Предназначен для исследования тока в полупроводниках и их технического применения.
Обеспечивает изучение зависимости сопротивления полупроводника от температуры, изучения зависимости сопротивления полупроводника от освещенности, изучение светодиодов, а также устройств транзистора, фотореле.
Кроме того, набор позволяет выполнять расчетное моделирование работы транзистора.
Позволяет обучать основным этапам проведения экспериментального исследования, а также позволяет проводить с учениками совместные исследования.
Весь набор укомплектован в пластиковую систему хранения с ложементом, которая закрывается прозрачной пластиковой крышкой на защелках для обеспечения наблюдения за содержимым.
Набор обеспечен методическими рекомендациями на русском языке по проведению экспериментов.
Программа моделирования позволяет иллюстрировать получение вольт-амперных характеристик транзистора – зависимостей тока коллектора от напряжения на промежутке эмиттер-коллектор.
В качестве исходных данных задаются напряжение на промежутке эмиттер-коллектор и сила тока в цепи базы.
Набор обеспечивает выполнение 10 демонстрационных экспериментов по следующей тематике:




